Ученые Томского государственного университета разработали российскую технологию создания материала для производства рентгеновских детекторов. Об этом сообщает пресс-служба вуза.
Ранее в стране использовалось оборудование, основанное на арсениде галлия иностранного производства, которое теперь недоступно. Разработка данной отечественной технологии является важным шагом на пути к обеспечению технологического лидерства и суверенитета государства.
Ученые Центра «Перспективные технологии в микроэлектронике» Томского государственного университета совместно с ООО «Финпроматом» создали и успешно внедрили на базе ТГУ новую технологию производства VGF (выращивание высококачественных полупроводниковых кристаллов, включая арсенид галлия) HR-GaAs:Cr структур. Этот материал служит основой для детекторов рентгеновских цветных изображений, используемых в промышленности, медицине и науке. Это будет способствовать активному развитию приборостроения и обеспечит его независимость от импорта зарубежных компонентов», — отметили в вузе.
Созданные структуры прошли все необходимые испытания и соответствуют техническому заданию для начала технологии в крупном производстве. Их характеристики не уступают импортным материалам. Уникальный состав материала обеспечивает высокие функциональные качества детекторов, включая максимальную радиационную устойчивость, подчеркнул главный конструктор составной части опытно-конструкторских работ Андрей Зарубин.
По словам директора Центра «Перспективные технологии в микроэлектронике» ТГУ Олега Толбанова, главной задачей университета было разработать технологию, которая компенсирует влияние хрома в арсениде галлия, используя российские материалы.
Материал, созданный по новой технологии, может быть использован для производства многоэлементных сенсоров и цифровых мультиспектральных матричных детекторов рентгеновских изображений, которые востребованы в промышленной дефектоскопии, медицинской радиографии и научных приборах.
Фото: hi-tech.mail.ru