Ученые из России создали уникальный наноматериал

Разработка открывает новые возможности для создания молекулярной электроники с высокой скоростью и устройств спинтроники — технологии, которая использует не только заряд, но и спин электронов.Доцент кафедры общей и экспериментальной физики ДВФУ Александр Давыденко работает в лаборатории.Доцент кафедры общей и экспериментальной физики ДВФУ Александр Давыденко работает в лаборатории.Источник: ДВФУ

Специалисты Дальневосточного федерального университета и Института автоматики и процессов управления ДВО РАН разработали новый гибридный наноматериал с уникальными электронными характеристиками. Этот инновационный материал позволит создавать устройства для молекулярной электроники и спинтроники — областей, которые, вероятно, станут основой будущих технологий хранения и обработки данных.

Основой работы является сочетание двух уникальных компонентов — топологического изолятора и фуллерена. Тонкая атомная пленка селенида висмута, относящаяся к классу топологических изоляторов, проявляет необычные свойства: она не проводит электрический ток внутри себя, но свободно пропускает его по своей поверхности благодаря особым квантовым состояниям электронов. На этой поверхности физики разместили один слой сферических молекул углерода — фуллеренов C₆₀, которые формируют плотную структуру, сохраняя свои характеристики. Такое соединение дало возможность создать стабильную систему с принципиально новыми свойствами.

Ключевое достижение проекта — возможность управления электронной структурой материала. Это достигается с помощью интеркаляции — введения атомов калия между молекулами фуллеренов, что позволяет точно настраивать проводимость и другие электрические характеристики материала. Такая способность особенно актуальна при разработке миниатюрных электронных компонентов, где требуется четкое регулирование свойств.

Разработка российских ученых может стать основой для квантовых компьютеров и электроники будущего.Разработка российских ученых может стать основой для квантовых компьютеров и электроники будущего.Источник: Freepik

Как поясняет доцент кафедры общей и экспериментальной физики ДВФУ Александр Давыденко, новый материал может стать основой для памяти следующего поколения. Ученые планируют дополнить систему ферромагнитным слоем, чтобы проверить, способен ли слой C₆₀ передавать спиновый момент от поверхности топологического изолятора. Если это удастся, в руках ученых появится основа для ячеек памяти, которые можно будет переключать короткими импульсами тока — без механических движений и нагрева.

Перспективы использования гибридного материала значительно выходят за пределы электроники. Он может быть применен в наноустройствах, высокочувствительных фотодетекторах и в исследовании сильно коррелированных электронных систем — одной из самых сложных тем современной физики конденсированного состояния.

Исследование получило поддержку Российского научного фонда и стало возможным благодаря инновационной инфраструктуре научного кампуса ДВФУ, который входит в программу создания университетских центров мирового уровня. Изобретение стало результатом перехода современных российских лабораторий от теоретических исследований к практическим решениям, которые уже формируют технологическую основу будущего.

Фото: hi-tech.mail.ru

Оцените статью
Dfiles.ru