Дефицит памяти ожидается до 2030 года: SK Hynix запускает HBM4E в 2029 году

Компания намерена сделать предприятие в Индиане основным американским центром по производству высокотехнологичной памяти для ИИ

28 августа 2026, 10:34Системные платы, память, чипсетыJin1

Южнокорейская компания SK Hynix начала возведение значительного завода в американском штате Индиана, где она планирует организовать производство и упаковку высокотехнологичной памяти HBM. Объем инвестиций в проект превысит $4 миллиарда, а старт массового производства нового поколения HBM4E запланирован на третий квартал 2029 года.

Фабрика расположена в исследовательском парке Purdue Research Park в городе Уэст-Лафайет. Чистые помещения должны начать функционировать в первой половине 2028 года. В дальнейшем завод сможет производить сотни тысяч кремниевых пластин ежегодно.

Производственная цепочка будет распределена между США и Южной Кореей. Передовые кристаллы памяти будут изготавливаться в Корее, а затем отправляться в Индиану для упаковки и тестирования. Завершённые микросхемы будут в основном предназначены для американских клиентов, включая Nvidia, Microsoft и Google.

Генеральный директор SK Hynix Квак Но-джонг сообщил, что компания не наблюдает признаков скорого снижения спроса на память и ожидает, что дефицит продлится до конца 2030 года. По его мнению, даже потенциальное замедление на рынке будет связано скорее с умеренным падением темпов роста, чем с резким сокращением спроса.

HBM представляет собой многослойную память, где несколько кристаллов располагаются друг над другом. Благодаря высокой пропускной способности и сниженным энергозатратам такая память стала одним из основных компонентов ускорителей искусственного интеллекта. Увеличение инвестиций в ИИ сделало HBM одним из главных факторов роста для производителей памяти.

Источники:reutersСистемные платы, память, чипсеты128 авг 10:34